GM2306A SOT-23 MOS管2306 N沟道场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-08-08 09:44:59点击：6次

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  GM2306A SOT-23 MOS管2306 N沟道场效应管

  
  

  
  

  N沟道场效应管 GM2306A的引脚图：

  

  
  

  
  

  N沟道场效应管 GM2306A的特点：

  • 低导通电阻和最大直流电流能力

  • 超高元胞密度设计
    

  
  

  
  

  N沟道场效应管 GM2306A的应用：

  • 笔记本电源管理

  • 便携式设备

  • 电池电源系统

  • DC/DC 变换

  • 负载开关应用
    

  
  

  
  

  N沟道场效应管 GM2306A的极限值：
  

  • 漏极-源极电压 BV_DSS：30V

  • 栅极-源极电压 V_GS：±12V

  • 漏极电流-连续 I_D：5A

  • 漏极电流-脉冲 I_DM：20A

  • 总耗散功率 P_D：1380mW

  • 结温 T_J：150℃

  • 焊接温度/焊接时间 T/t：260/10℃/S

  • 存储温度 T_stg：-55~+150℃
    

  
  

  
  

  N沟道场效应管 GM2306A的电特性：

  如无特殊说明，温度为25℃

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏源击穿电压	BVDSS	30			V
  漏源漏电流	IDSS			1	uA
  栅源漏电流	IGSS			±100	nA
  栅极门限电压	VGS(TH)	0.5	0.8	1	V
  漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A	RDS(ON)		25	30	mΩ
  漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=5A			30	35
  漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=2.6A			40	50
  漏源导通电阻 VGS=2V,ID=1A			80	90
  内附二极管正向压降	VSD			1.2	V
  输入电容	CISS		820		pF
  输出电容	COSS		90
  开启延迟时间	t(on)		8.5		ns
  关闭延迟时间	t(off)		31

  
  

  
  

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