单向可控硅MCR100-8的型号替换 100-8中文资料

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-08-05 11:17:00点击：6次

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  单向可控硅MCR100-8的型号替换 100-8中文资料

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的特点：

  • PNPN 四层结构的硅单向器件

  • 门极灵敏触发

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：SOT-23-3L、SOT-89-3L、SOT-223-3L、TO-92
    

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的应用：

          MCR100-8可控硅应用于：脉冲点火器、负离子发生器、逻辑电路驱动、彩灯控制器、漏电保护器、吸尘器软启动等。

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的可替代型号：

         MCR100-8是单向可控硅，可以用BT169或者MCR100-6替换。以下是各型号参数供大家参考：

  
  

  
  

  1、MCR100-8的参数：

  极限参数
  符号	参数	数值	单位
  VDRM/VRRM	断态重复峰值电压	600/800	V
  IT(RMS)	通态均方根电流	0.8	A
  IT(AV)	通态平均电流	0.5	A
  ITSM	通态不重复浪涌电流	8	A
  TSTG	存储温度	-40~+150	℃
  Tj	工作结温	-40~+110	℃
  电特性
  IGT	门极触发电流	10~200	μA
  VGT	门极触发电压	0.8	V
  VGD	门极不触发电压	0.2
  IH	维持电流	3	mA
  IL	擎住电流	4
  dVD/dt	断态电压临界上升率	10	V/μs
  VTM	断态压降	1.5	V

  
  

  
  

  2、MCR100-6的参数特点：

  
  

  ⑴、MCR100-6的特点：

  • PNPN 四层结构的硅单向器件
    

  • 门极灵敏触发

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：SOT-23-3L、TO-92

  
  

  
  

  ⑵、MCR100-6的参数：

  极限参数
  符号	参数	数值	单位
  VDRM/VRRM	断态重复峰值电压	400	V
  IT(RMS)	通态均方根电流	0.8	A
  IT(AV)	通态平均电流	0.5	A
  ITSM	通态不重复浪涌电流	8	A
  TSTG	存储温度	-40~+150	℃
  Tj	工作结温	-40~+110	℃
  电特性
  IGT	门极触发电流	10~80	μA
  VGT	门极触发电压	0.8	V
  VGD	门极不触发电压	0.2
  IH	维持电流	3	mA
  IL	擎住电流	4
  dVD/dt	断态电压临界上升率	10	V/μs
  VTM	断态压降	1.5	V

  
  

  
  

  3、BT169的参数特点：

  
  

  ⑴、BT169的特点：

  • PNPN 四层结构的硅单向器件

  • 门极灵敏触发

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装外形尺寸：SOT-23-3L、SOT-89-3L(反脚)、TO-92

  
  

  
  

  ⑵、BT169的参数：

  极限参数
  符号	参数	数值	单位
  VDRM/VRRM	断态重复峰值电压	600/800	V
  IT(RMS)	通态均方根电流	0.8	A
  IT(AV)	通态平均电流	0.5	A
  ITSM	通态不重复浪涌电流	8	A
  TSTG	存储温度	-40~+150	℃
  Tj	工作结温	-40~+110	℃
  电特性
  IGT	门极触发电流	10~200	μA
  VGT	门极触发电压	0.8	V
  VGD	门极不触发电压	0.2
  IH	维持电流	3	mA
  IL	擎住电流	4
  dVD/dt	断态电压临界上升率	10	V/μs
  VTM	断态压降	1.5	V

  
  

  
  

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