P沟道MOS管 EMB09P03V EDFN3X3 贴片场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-07-27 11:31:17点击：6次

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  P沟道MOS管 EMB09P03V EDFN3X3 贴片场效应管

  
  

  P沟道MOS管 EMB09P03V的主要参数：

  • 电压 BV_DSS：-30V

  • 内阻 R_DS(ON)：9.5mΩ

  • 电流 I_D：-24A
    

  

  
  

  
  

  P沟道MOS管 EMB09P03V的极限值：

  • 漏极-源极电压 BV_DSS：-30V

  • 栅极-源极电压 V_GS：±25V

  • 漏极电流-连续 I_D：-24A

  • 漏极电流-脉冲 I_DM：-96A

  • 雪崩能量 E_AS：31.25mJ

  • 重复雪崩能量 E_AR：15.62mJ

  • 功耗 P_D：2.5W

  • 工作结温和存储温度 T_j,T_stg：-55~+150℃
    

  
  

  
  

  P沟道MOS管 EMB09P03V的电特性：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	-30			V
  栅极-源极电压	VGS(th)	-1	-1.5	-3
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±20V	IGSS			±100	nA
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±25V				±500
  零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=-20V,VGS=0V，Tj=125℃				-10
  静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-13A	RDS(ON)		8.5	9.5	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-9A			14	18
  正向跨导	gfs		24		S
  输入电容	Ciss		3067		pF
  输出电容	Coss		453
  反向传输电容	Crss		398
  栅源电荷密度	Qgs		6.5		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		10
  开启延迟时间	td(on)		20		nS
  开启上升时间	tr		18
  关断延迟时间	td(off)		55
  开启下降时间	tf		10

  
  

  
  

  P沟道MOS管 EMB09P03V的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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