100-6小电流可控硅 MCR100-6 微触发可控硅

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-07-14 15:04:26点击：6次

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  100-6小电流可控硅 MCR100-6 微触发可控硅

  
  

  
  

  微触发可控硅 MCR100-6的特点：

  • PNPN 四层结构的硅单向器件

  • 门极灵敏触发

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：SOT-23-3L、TO-92
    

  
  

  
  

  微触发可控硅 MCR100-6的引脚图：

     

  
  

  
  

  微触发可控硅 MCR100-6的应用领域：

          MCR100-6可控硅应用于：脉冲点火器、负离子发生器、逻辑电路驱动、彩灯控制器、漏电保护器、吸尘器软启动等等。

  
  

  
  

  微触发可控硅 MCR100-6的极限值：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM ---------------------------------------- 400V

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) ------------------------------------------------- 0.8A

  • 通态平均电流 I_T(AV) ----------------------------------------------------- 0.5A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM ---------------------------------------------- 8A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt --------------------------------------------- 50A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM ------------------------------------------------------- 0.2A

  • 门极峰值功率 P_GM ------------------------------------------------------ 0.5W

  • 门极平均功率 P_G(AV) ---------------------------------------------------- 0.1W

  • 存储温度 T_STG ----------------------------------------------------------- -40~150℃

  • 工作结温 T_j --------------------------------------------------------------- -40~110℃
    

  
  

  
  

  微触发可控硅 MCR100-6的电特性：

  符号	参数	最小值	最大值	单位
  IGT	门极触发电流	10	80	μA
  VGT	门极触发电压		0.8	V
  VGD	门极不触发电压	0.2
  IH	维持电流		3	mA
  IL	擎住电流		4
  dVD/dt	断态电压临界上升率	10		V/μs
  VTM	通态压降		1.5	V
  IDRM/IRRM	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃		5	μA
  	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=110℃		100

  
  

  
  

  微触发可控硅 MCR100-6的参数特性曲线：

  

  
  

  
  

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