GM2301 SOT-23 P沟道MOS管 2301场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-06-24 09:48:31点击：6次

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  GM2301 SOT-23 P沟道MOS管 2301场效应管

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GM2301的引脚图：

  

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GM2301的极限值：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	-20	V
  栅极-源极电压	VGS	±10
  漏极电流-连续	ID	-2.8	A
  漏极电流-脉冲	IDM	-10
  总耗散功率 TA=25℃	PD	900	mW
  结温	TJ	150	℃
  存储温度	Tstg	-55~+150

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GM2301的电特性：

  如无特殊说明，T_A=25℃

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压 ID=-250uA,VGS=0V	BVDSS	-20			V
  栅极开启电压 ID=-250uA,VGS=VDS	VGS(th)	-0.5		-1.5
  内附二极管正向压降 IS=-0.75A,VGS=0V	VSD			-1.5	V
  零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=-16V	IDSS			-1	uA
  零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=-16V,TA=55℃				-10
  栅极漏电流 VGS=±10V,VDS=0V	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 ID=-2.8A,VGS=-4.5V	RDS(ON)			100	mΩ
  静态漏源导通电阻 ID=-2A,VGS=-2.5V				120
  输入电容 VGS=0V,VDS=-10，f=1MHz	CISS		600		pF
  输入电容 VGS=0V,VDS=-10，f=1MHz	COSS		120
  开启时间 VDS=-10V,ID=-2.8A,RGEN=6Ω	t(on)		8		ns
  关断时间 VDS=-10V,ID=-2.8A,RGEN=6Ω	t(off)		60

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GM2301的外形封装尺寸：

  

  
  

  
  

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