80VN沟道场效应管 GMP75N80L TO-220 中低压MOS管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-06-08 10:44:24点击：6次

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  80VN沟道场效应管 GMP75N80L TO-220 中低压MOS管

  
  

  
  

  中低压MOS管 GMP75N80L的特点：

  • 低栅电荷密度

  • 超低导通电阻

  • 优秀沟槽技术

  • 快速开关能力

  • 高工作温度范围

  
  

  
  

  中低压MOS管 GMP75N80L的应用：

  • 高效率同步整流

  • DC-DC 变换和不间断电源

  • 脉宽调制电机控制
    

  
  

  
  

  中低压MOS管 GMP75N80L的内部结构图：

  

  
  

  
  

  中低压MOS管 GMP75N80L的极限值：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	80	V
  栅极-源极电压	VGS	±25
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	75	A
  漏极电流-连续 TC=100℃		56
  漏极电流-脉冲	IDM	310
  总耗散功率 TC=25℃	PTOT	140	W
  雪崩能量	EAS	120	mJ
  热阻	RθJC	1	℃/W
  结温/储存温度	TJ,Tstg	-55~175	℃

  
  

  
  

  中低压MOS管 GMP75N80L的电特性：

  如无特殊说明，温度为25℃

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏源-源极击穿电压	BVDSS	80			V
  栅极开启电压	VGS(th)	2	2.7	4
  零栅压漏极电流	IDSS			1	uA
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻	RDS(ON)		7.5	9	mΩ
  正向传输导纳	gFS	20			S
  源极-漏极电流	ISD			75	A
  内附二极管正向压降	VSD			1.3	V
  栅极电阻	Rg		1.5		Ω
  输入电容	CISS		2980		pF
  共源输出电容	COSS		280
  栅极电荷密度	Qg		56		nC
  栅源电荷密度	Qgs		13
  栅漏电荷密度	Qgd		16
  开启延迟时间	td(on)		16		ns
  关断延迟时间	td(off)		43

  
  

  
  

  中低压MOS管 GMP75N80L的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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