高结温可控硅 BT169 TO-92 小电流单向可控硅

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-06-03 09:56:10点击：6次

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  高结温可控硅 BT169 TO-92 小电流单向可控硅
  

  
  

  
  

  高结温可控硅 BT169的特点：

  • PNPN 四层结构的硅单向器件

  • 门极灵敏触发

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装外形：TO-92
    

  
  

  
  

  高结温可控硅 BT169的引脚图：

  

  
  

  
  

  高结温可控硅 BT169的应用领域：

     BT169可控硅应用于：脉冲点火器、负离子发生器、逻辑电路驱动、彩灯控制器、漏电保护器、吸尘器软启动等。
  

  
  

  
  

  高结温可控硅 BT169的极限值(T_CASE=25℃)：

  符号	参数	数值	单位
  VDRM/VRRM	断态重复峰值电压	600/800	V
  IT(AV)	通态平均电流	0.5	A
  IT(RMS)	通态均方根电流	0.8
  ITSM	通态不重复浪涌电流	8
  I2t	I2t 值	0.32	A2s
  dIT/dt	通态电流临界上升率	50	A/μs
  IGM	门极峰值电流	0.2	A
  PGM	门极峰值功率	0.5	W
  PG(AV)	门极平均功率	0.1
  TSTG	存储温度	-40~+150	℃
  Tj	工作结温	-40~+110

  
  

  
  

  高结温可控硅 BT169的电特性：

  符号	参数	最小值	典型值	最大值	单位
  IGT	门极触发电流	10		200	μA
  VGT	门极触发电压			0.8	V
  VGD	门极不触发电压	0.2
  IH	维持电流			3	mA
  IL	擎住电流			4
  dVD/dt	断态电压临界上升率	10			V/μs
  VTM	通态压降			1.5	V
  IDRM/IRRM	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃			5	μA
  	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=110℃			100

  
  

  
  

  高结温可控硅 BT169的参数特性曲线：

  

  
  

  
  

  高结温可控硅 BT169的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

  
  

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