MOS管7002E N沟道场效应管 GM7002E

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-05-28 14:26:28点击：6次

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  MOS管7002E N沟道场效应管 GM7002E

  
  

  
  

  N沟道场效应管 GM7002E的引脚图：

  

  
  

  
  

  N沟道场效应管 GM7002E的极限值：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	60	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续	IDR	300	mA
  漏极电流-脉冲	IDRM	500
  功耗	PD	225	mW
  热阻	RθJA	417	℃/W
  结温和存储温度	TJ,Tstg	150℃，-55~+150℃

  
  

  
  

  N沟道场效应管 GM7002E的电特性：

  如无特殊说明，温度为25℃
  

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	60	V
  栅极开启电压	VGS(th)	1~2.5
  漏极-源极导通电压 ID=50mA,VGS=5V	VDS(ON)	0.375
  漏极-源极导通电压 ID=500mA,VGS=10V		3.75
  内附二极管正向压降	VSD	1.5
  零栅压漏极电流	IDSS	1	uA
  栅极漏电流 VGS=±10V,VDS=0V	IGSS	±1
  栅极漏电流 VGS=±20V,VDS=0V		±10
  静态漏源导通电阻 ID=500mA,VGS=10V	RDS(ON)	3	Ω
  静态漏源导通电阻 ID=50mA,VGS=5V		3.5
  静电保护	ESD	1000V HBM

  
  

  
  

  N沟道场效应管 GM7002E的外形封装尺寸：

  单位：mm

  

  
  

  
  

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