双向可控硅 BT137 TO-252 贴片可控硅中文资料

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-05-27 15:03:02点击：6次

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  双向可控硅 BT137 TO-252 贴片可控硅中文资料

  
  

  
  

  一、双向可控硅 BT137的引脚图：

  

  
  

  
  

  二、双向可控硅 BT137的特点：

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高，换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-252
    

  
  

  
  

  三、双向可控硅 BT137的应用：

         加热控制器、调光/调速控制器、洗衣机、搅拌机、果汁机、面包机、吸尘器等家用电器
  

  
  

  
  

  四、双向可控硅 BT137的极限值：

  T_CASE=25℃

  符号	参数	数值	单位
  VDRM/VRRM	断态重复峰值电压	600/800	V
  IT(RMS)	通态均方根电流	8	A
  ITSM	通态不重复浪涌电流	65
  dIT/dt	通态电流临界上升率	50	A/μs
  IGM	门极峰值电流	2	A
  PGM	门极峰值功率	5	W
  PG(AV)	门极平均功率	0.5
  Tstg	存储温度	-40~+150	℃
  Tj	工作结温	-40~+125

  
  

  
  

  五、双向可控硅 BT137的电特性：

  符号	参数	数值			单位
  		D	E	F
  IGT	门极触发电流 I-II-III	≤5	≤10	≤25	mA
  	门极触发电流 IV	≤10	≤25	≤70
  VGT	门极触发电压	≤1.5			V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤10	≤20	≤20	mA
  IL	擎住电流 I-III-IV	≤15	≤25	≤30
  	擎住电流 II	≤20	≤35	≤45
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥10	≥20	≥50	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55			V
  IDRM/IRRM	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃	≤5			μA
  	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃	≤1			mA

  
  

  
  

  六、双向可控硅 BT137的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

  
  

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