可控硅 BTA312 TO-220C 12A双向可控硅

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-05-21 17:44:18点击：6次

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  可控硅 BTA312 TO-220C 12A双向可控硅

  
  

  
  

  双向可控硅 BTA312的引脚图：

  

  
  

  
  

  双向可控硅 BTA312的特点：

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高，换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-220C
    

  
  

  
  

  双向可控硅 BTA312的极限值：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM：600/800V

  • 通态均方根电流 I_T(RMS)：12A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM：100A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt：50A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM：2A

  • 门极峰值功率 P_GM：5W

  • 门极平均功率 P_G(AV)：0.5W

  • 存储温度 T_STG：-40~+150℃

  • 工作结温 T_j：-40~+125℃
    

  
  

  
  

  双向可控硅 BTA312的电特性：

  符号	参数	测试条件		数值			单位
  				D	E	C
  IGT	门极触发电流	VD=12V, IT=0.1A, Tj=25℃	I-II-III	≤5	≤10	≤35	mA
  VGT	门极触发电压		I-II-III	≤1.3			V
  VGD	门极不触发电压	VD=VDRM,Tj=125℃		≥0.2
  IH	维持电流	VD=12V,Tj=25℃		≤10	≤15	≤35	mA
  IL	擎住电流	VD=12V, IG=0.1A	I-III	≤10	≤25	≤50
  			II	≤15	≤30	≤60
  dVD/dt	断态电压临界上升率	VD=67%VDRM, 门极开路 Tj=125℃		≥20	≥50	≥500	A/μs
  VTM	通态压降	ITM=15A,tp=380μs		≤1.55			V
  IDRM/IRRM	断态重复峰值电流	VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃		≤5	≤5	≤5	μA
  		VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃		≤1	≤1	≤1	mA

  
  

  
  

  双向可控硅 BTA312的型号、标识说明：

  

  
  

  
  

  双向可控硅 BTA312的参数特性曲线：

  

  
  

  
  

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