12A 单向可控硅 TO-220B BT151的中文资料
单向可控硅 BT151的引脚图:
单向可控硅 BT151的特点:
PNPN 四层结构的硅单向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
封装形式:TO-220B
单向可控硅 BT151的应用:
摩托车调压器、LED 灯控制器、彩灯控制器、直发器...
单向可控硅 BT151的极限值:
TCASE=25℃
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
IT(AV) | 通态平均电流 | 8 | A |
IT(RMS) | 通态均方根电流 | 12 | |
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 120 | |
I2t | I2t 值 | 72 | A2s |
dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
IGM | 门极峰值电流 | 2 | A |
PGM | 门极峰值功率 | 5 | W |
PG(AV) | 门极平均功率 | 0.5 | |
TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
Tj | 工作结温 | -40~+125 |
单向可控硅 BT151的电特性:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
IGT | 门极触发电流 | 15 | mA |
VGT | 门极触发电压 | 1 | V |
VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | |
IH | 维持电流 | 30 | mA |
IL | 擎住电流 | 40 | |
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 200 | V/μs |
VTM | 通态压降 | 1.6 | V |
IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | 5 | μA |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | 1 | mA |
单向可控硅 BT151的热阻:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
Rth(j-c) | 结到管壳的热阻(AC) | 1.3 | ℃/W |
Rth(j-a) | 结到环境的热阻 | 60 |
单向可控硅 BT151的参数特性曲线:
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