GM6385MOS管 P沟道场效应管 6385中文规格书

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-05-15 11:29:48点击：6次

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  GM6385MOS管 P沟道场效应管 6385中文规格书

  
  

  
  

  P沟道场效应管 GM6385的引脚图：

  

  
  

  
  

  P沟道场效应管 GM6385的极限值：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电极	BVDSS	-60	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续	ID	-3.5	A
  漏极电流-脉冲	IDM	-10
  总耗散功率	PD	1400	mW
  结温	TJ	150	℃
  储存温度	Tstg	-55~+150

  
  

  
  

  P沟道场效应管 GM6385的电特性：
  如无特殊说明，T_A=25℃
  

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	-55	-60		V
  栅极开启电压	VGS(th)	-1		-3
  内附二极管正向压降	VSD			-1.2
  零栅压漏极电流	IDSS			-1	uA
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 ID=-3A,VGS=-10V	RDS(ON)		70	85	mΩ
  静态漏源导通电阻 ID=-2A,VGS=-4.5V			80	120
  输入电容	CISS		900		pF
  输出电容	COSS		100
  开启延迟时间	td(on)		38		ns
  开启上升时间	tr		18
  关断延迟时间	td(off)		51
  开启下降时间	tf		6

  
  

  
  

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