低压N沟道MOSFET 8205A TSSOP8 贴片场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-05-12 16:24:53点击：6次

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  低压N沟道MOSFET 8205A TSSOP8 贴片场效应管

  
  

  
  

  贴片场效应管 8205A的描述：

         8205是共漏极N沟道增强型场效应管。具有快速开关，超低导通电阻和高性价比的特点。该器件适用于电池保护或低压开关的电路。

  
  

  
  

  贴片场效应管 8205A的引脚图：

  

  
  

  
  

  贴片场效应管 8205A的特点：

  • R_DS(ON)≤28mΩ@V_GS=4.5V

  • 超低门电荷(典型23nC)

  • 低反向传输电容(CRSS=典型 150pF)

  • 快速切换功能

  • 提高dv/dt能力，高耐用性

  • 低导通电阻

  • 低驱动电流

  • 低栅极电压2.5V

  • V_DS=20V

  • I_D=6A@V_GS=4.5V

  • 封装形式：TSSOP8
    

  
  

  
  

  贴片场效应管 8205A的符号图：

  

  
  

  
  

  贴片场效应管 8205A的应用：

  • 锂电池充电保护

  • 电源管理

  • 便携式设备

  • 负载开关
    

  
  

  
  

  贴片场效应管 8205A的极限值：

  参数	符号	参数	单位
  漏源电压	VDSS	20	V
  栅源电压	VGSS	±12
  漏极电流-连续	ID	6	A
  漏极电流-脉冲	IDM	20
  功耗	PD	1	W
  热阻，结到环境	θJA	125	℃/W
  结温	TJ	+150	℃
  存储温度	TSTG	-55~+150

  
  

  
  

  贴片场效应管 8205的电性参数：

  T_j=25℃，除非另有规定

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏源击穿电压	BVDSS	20			V
  漏源漏电流	IDSS			1	uA
  栅源漏电流	IGSS			±100	nA
  栅极门限电压	VGS(TH)	0.5		1.5	V
  漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=6A	RDS(ON)			28	mΩ
  漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=5.2A				42
  输入电容	CISS		1035		pF
  输出电容	COSS		320
  反向传输电容	CRSS		150
  开启延迟时间	tD(ON)		30		ns
  开启上升时间	tR		70
  关闭延迟时间	tD(OFF)		40
  关闭上升时间	tF		65
  栅极总电荷	QG		23		nC
  栅源电荷	QGS		4.5
  栅漏电荷	QGD		7

  
  

  
  

  贴片场效应管 8205的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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