双N沟道MOS管 EMB21A03V 30V场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-04-15 17:54:07点击：6次

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  双N沟道MOS管 EMB21A03V 30V场效应管

  
  

  
  

  一、EMB21A03V的脚位图：

  

  
  

  
  

  二、EMB21A03V的极限值(除非有特殊说明，T_A=25℃)：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	30	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TA=25℃	ID	9	A
  漏极电流-连续 TA=100℃		6.3
  漏极电流-脉冲	IDM	36
  雪崩电流	IAS	10
  雪崩能量	EAS	5	mJ
  重复雪崩能量	EAR	2.5
  功耗 TA=25℃	PD	2.27	W
  功耗 TA=100℃		0.9
  结温和存储温度	Tj,Tstg	-55~+150	℃

  
  

  
  

  三、EMB21A03V的电特性：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	1	1.5	3
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=20V,VGS=0V,Tj=125℃				25
  静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=9A	RDS(ON)		17	21	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=5A			24	32
  正向跨导	gfs		16		S
  输入电容	Ciss		520		pF
  输出电容	Coss		88
  反向传输电容	Crss		62
  栅源电荷密度	Qgs		1.6		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		2.8
  开启延迟时间	td(on)		9		nS
  开启上升时间	tr		12
  关断延迟时间	td(off)		30
  开启下降时间	tf		15

  
  

  
  

  四、EMB21A03V的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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