贴片式MOSFET EMB12N10G SOP-8 12A场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-04-14 17:56:05点击：6次

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  贴片式MOSFET EMB12N10G SOP-8 12A场效应管

  
  

  
  

  一、EMB12N10G的脚位图：

  

  
  

  
  

  二、EMB12N10G的极限值(除非有特殊说明，T_A=25℃)：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	100	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TA=25℃	ID	12	A
  漏极电流-连续 TA=100℃		7.3
  漏极电流-脉冲	IDM	48
  雪崩电流	IAS	12
  雪崩能量	EAS	7.2	mJ
  重复雪崩能量	EAR	3.6
  功耗 TA=25℃	PD	2.5	W
  功耗 TA=100℃		1
  结温和存储温度	Tj,Tstg	-55~+150	℃

  
  

  
  

  三、EMB12N10G的电特性：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	100			V
  栅极开启电压	VGS(th)	1	2	3
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±12V	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=80V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=70V,VGS=0V,Tj=125℃				25
  静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=12A	RDS(ON)		10	12	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A			13.5	17
  正向跨导	gfs		45		S
  输入电容	Ciss		2130		pF
  输出电容	Coss		336
  反向传输电容	Crss		29
  栅源电荷密度	Qgs		10		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		8.2
  开启延迟时间	td(on)		6		nS
  开启上升时间	tr		10
  关断延迟时间	td(off)		8
  开启下降时间	tf		25

  
  

  
  

  四、EMB12N10G的封装外形尺寸：
  

  

  
  

  
  

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