四象限双向可控硅 T405Q的可控硅引脚图
一、T405Q的脚位图:
二、T405Q的产品特征:
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
工作结温高,换向能力强
高电压变化率 dV/dt
大电流变化率 dI/dt
符合 RoHS 规范
封装形式:TO-251、TO-252
三、T405Q的应用:
加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器
四、T405Q的极限参数(TCASE=25℃):
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
IT(RMS) | 通态均方根电流 | 4 | A |
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 35 | |
I2t | I2t 值 | 6 | A2s |
dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
IGM | 门极峰值电流 | 4 | A |
PG(AV) | 门极平均功率 | 0.5 | W |
TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
Tj | 工作结温 | -40~+125 |
五、T405Q的产品电性能:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
IGT | 门极触发电流 I-II-III | ≤5 | mA |
门极触发电流 IV | ≤10 | ||
VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V |
VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | |
IH | 维持电流 | ≤10 | mA |
IL | 擎住电流 I-III-IV | ≤10 | |
擎住电流 II | ≤15 | ||
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥10 | V/μs |
VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V |
IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | ≤5 | μA |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | ≤1 | mA |
六、T405Q的封装外形尺寸:
1、TO-251(IPAK):
2、TO-252(DPAK):
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