0.8A 门极灵敏型单向可控硅 BT169 多种封装
一、BT169的脚位图:
二、BT169的产品特点:
PNPN 四层结构的硅单向器件
门极灵敏触发
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
封装形式:SOT-23-3L、SOT-89-3L、TO-92
三、BT169的应用:
脉冲点火器
负离子发生器
逻辑电路驱动
彩灯控制器
漏电保护器
吸尘器软启动
四、BT169的极限值:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
IT(AV) | 通态平均电流 | 0.5 | A |
IT(RMS) | 通态均方根电流 | 0.8 | A |
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 8 | A |
I2t | I2t值 | 0.32 | A2s |
dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
IGM | 门极峰值电流 | 1 | A |
PGM | 门极峰值功率 | 2 | W |
PG(AV) | 门极平均功率 | 0.1 | W |
TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
Tj | 工作结温 | -40~+110 | ℃ |
五、BT169的电特性:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
IGT | 门极触发电流 | 10~200 | μA |
VGT | 门极触发电压 | 0.8 | V |
VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | V |
IH | 维持电流 | 3 | mA |
IL | 擎住电流 | 4 | mA |
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 10 | V/μs |
VTM | 通态电压 | 1.5 | V |
六、BT169的参数特性曲线:
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