可控硅十条黄金规则汇总

• 来源：宇芯电子 更新时间：2019-12-25 15:30:25点击：6次

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  可控硅十条黄金规则汇总

  
  

  规则1：为了导通闸流管(或双向可控硅)，必须有门极电流 ≥I_GT，直至负载电流达到 ≥I_L。这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。

  
  

  规则2：要断开(切换)闸流管(或双向可控硅)，负载电流必须 ＜I_H，并维持足够长的时间，使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件。

  
  

  规则3：设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就有避开 3⁺ 象限(WT2-，+)。

  
  

  规则4：为减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返回线直接连至 MT1(或阴极)。若用硬线，用螺旋双向或屏蔽线。门极和 MT1 间加电阻 1kΩ 或更小。高频旁路电容和极间串接电阻。另一解决办法，选用 H 系列低灵敏度双向可控硅。

  
  

  规则5：若 dV_D/dt 或 dV_COM/dt 可能引起问题，在 MT1 和MT2 间加入 RC 缓冲电路。
  

                若高 dI_COM/dt 可能引起问题，加入一几 mH 的电感和负载串联。

                另一种解决方法，采用 Hi-Com 双向可控硅。

  
  

  规则6：假如双向可控硅的 V_DRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：

                负载上串联电感量为几 μH 的不饱和电感，以限制 dI_T/dt；

                用 MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。

  
  

  规则7：选用好的门极触发电路，避开 3⁺ 象限工况，可以最大限度提高双向可控硅的dI_T/dt 承受能力。

  
  

  规则8：若双向可控硅的 dI_T/dt 有可能被超出，负载上最好串联一个几 μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。

  
  

  规则9：器件固定到散热器，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把柳钉芯轴放在器件接口片一侧。

  
  

  规则10：为了长期可靠工作，应保证 R_{th j-a} 足够低，维持 T_j 不高于 T_jmax，其值相应于可能的最高环境温度。
  

  
  

  
  

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