4A门极灵敏型单向可控硅 C106 TO-126
一、C106的特点:
PNPN 四层结构的硅单向器件
门极灵敏触发
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
二、C106的脚位图:
三、C106的应用:
脉冲点火器;负离子发生器;逻辑电路驱动;直发器;调光开关;咖啡壶;LED 控制器...
四、C106的极限值:
TCASE=25℃
符合 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
IT(AV) | 通态平均电流 | 2.55 | A |
IT(RMS) | 通态均方根电流 | 4 | A |
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 20 | A |
I2t | I2t 值 | 1.65 | A2s |
dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
IGM | 门极峰值电流 | 0.5 | A |
PGM | 门极峰值功率 | 0.1 | W |
PG(AV) | 门极平均功率 | 0.2 | W |
TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
Tj | 工作结温 | -40~+110 | ℃ |
五、C106的电特性:
符号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
IGT | 门极触发电流 | 10 | 200 | μA | |
VGT | 门极触发电压 | 0.65 | 0.8 | V | |
VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | V | ||
IH | 维持电流 | 3 | mA | ||
IL | 擎住电流 | 5 | mA | ||
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 10 | V/μs | ||
VTM | 通态压降 | 1.55 | V |
六、C106的封装外形尺寸:
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