BT132的脚位图:
BT132的极限值:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
IT(RMS) | 通态均方根电流 | 2 | A |
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 16 | |
I2t | I2t值 | 2.6 | A2s |
dIT/dt | 通态电流临界上升率 I-II-III | 50 | A/μs |
通态电流临界上升率 IV | 10 | ||
IGM | 门极峰值电流 | 1 | A |
PGM | 门极峰值功率 | 4 | W |
PG(AV) | 门极平均功率 | 0.5 | |
TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -40~+125 |
BT132的特点:
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符号 RoHS 规范
BT132的电特性:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
D | E | |||
IGT | 门极触发电流 I-II-III | ≤4 | ≤5 | mA |
门极触发电流 IV | ≤7 | ≤10 | ||
VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V | |
VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | ||
IH | 维持电流 | ≤6 | ≤10 | mA |
IL | 擎住电流 I-III-IV | ≤10 | ≤15 | |
擎住电流 II | ≤15 | ≤20 | ||
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥10 | ≥20 | V/μs |
VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V | |
IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | ≤5 | ≤5 | μA |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | ≤200 | ≤200 |
BT132的封装外形尺寸:
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