GM7002 SOT-23 导通电阻小 60V N沟道MOS管 绝缘栅场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2019-01-08 09:23:27点击：6次

• N沟道MOSFET 绝缘栅场效应管 GM7002

  
  

  
  

  一、GM7002的最大额定值：

  特性参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	60	V
  栅极-源极电压	VGS	±20	V
  漏极电流-连续	IDR	115	mA
  漏极电流-脉冲	IDRM	800	mA

  
  

  
  

  
  

  二、GM7002的热特性：

  特性参数	符号	数值	单位
  总耗散功率 (环境温度为25℃)	PD	225	mW
  总耗散功率 (超过25℃递减)		1.8	mW/℃
  热阻	RθJA	417	℃/W
  结温和存储温度	Tj,Tstg	150℃，-55~+150℃

  
  

  
  

  
  

  三、GM7002的电特性：

  (如无特殊说明，温度为25℃)

  特性参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压 (ID=250uA,VGS=0V)	BVDSS	60			V
  栅极开启电压 (ID=250uA,VGS=0V)	VGS(th)	1.0		2.5
  漏极-源极导通电压 (ID=50mA,VGS=5V)	VDS(ON)			0.375
  漏极-源极导通电压 (ID=500mA,VGS=10V)				3.75
  内附二极管正向压降 (ISD=200mA,VGS=0V)	VSD			1.5
  零栅压漏极电流 (VGS=0V,VDS=BVDSS)	IDSS			1	uA
  零栅压漏极电流 (VGS=0V,VDS=0.8BVDSS,TA=125℃)				500
  栅极漏电流 (VGS=±20V,VDS=0V)	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 (ID=50mA,VGS=5V)	RDS(ON)			7.5	Ω
  静态漏源导通电阻 (ID=500mA,VGS=10V)				7.5
  输入电容 (VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz)	CISS			50	pF
  共源输出电容 (VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz)	COSS			25
  开启时间 (VDS=30V,ID=200mA.RGEN=25Ω)	t(on)			20	ns
  关断时间 (VDS=30V,ID=200mA.RGEN=25Ω)	t(off)			40
  反向恢复时间 (ISD=800mA,VGS=0V)	trr		400

  
  

  
  

  
  

  四、GM7002的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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