杰力P沟道MOS管 EMB20P03V EDFN 3X3 -30V/-18A 增强型场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2018-09-21 17:26:33点击：6次

• 一、封装信息：

  

  
  

  
  

  
  

  二、极限值（除非有特殊说明，TC=25℃）：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	-30	V
  栅极-源极电压	VGS	±25
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	-18	A
  漏极电流-连续 TC=100℃		-13
  漏极电流-脉冲	IDM	-72
  雪崩电流	IAS	-10
  雪崩能量	EAS	5	mJ
  重复雪崩能量	EAR	2.5
  功耗 TC=25℃	PD	2.5	W
  功耗 TC=100℃		1
  结温和存储温度	Tj,Tstg	-55~+150	℃

  
  

  
  

  
  

  三、热阻：

  参数	符号	数值	单位
  结到管壳的热阻	RθJC	6	℃/W
  结到环境的热阻	RθJA	50

  
  

  
  

  
  

  四、电特性（除非有特殊说明，TC=25℃）：
  

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	-30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	-1	-1.5	-3
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±20V	IGSS			±100	nA
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±25V				±500
  零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-10A	RDS(ON)		17.5	20	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-7A			26	35
  正向跨导	gfs		24		S
  输入电容	Ciss		1407		pF
  输出电容	Coss		208
  反向传输电容	Crss		164
  栅源电荷密度	Qgs		3.2		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		4.9
  开启延迟时间	td(on)		10		nS
  开启上升时间	tr		8
  关断延迟时间	td(off)		25
  开启下降时间	tf		6

  
  

  
  

  
  

  五、封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

  
  

  六、特性图：

  

  
  

  
  

  ---

  声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；邮箱：limeijun@yushin88.com