一、芯片介绍
1. 基本介绍：
ME2169是一款1MHz升压型DC-DC 恒流LED驱动控制器，可通过调节外围电流检测电阻（RSENSE）设定恒流输出值，通过FB反馈电阻（RFB1、RFB2）设定输出过压保护值，由于使用外接低导通电阻的N沟道功率MOSFET开关管，因此适用于需要高效率、高驱动电流的应用电路。另外，芯片内置有欠压保护、过温保护、软启动等保护电路。
2. 芯片主要特点：
3.管脚定义：
4. 典型应用原理图：
二、各脚的功能以及调试中注意事项
1. VDD端：
电压输入及芯片供电电源端，输入电压范围2.5V-6V。欠压保护2.4V左右，高于2.4V芯片工作，低于2.25V芯片关闭，VDD输入电容推荐为10uF。
2. VSENSE端：
输出电流检测VSENSE端电压恒定为100mV（典型值），通过调节VSENSE 端连接的电流检测电阻（RSENSE）设定输出电流ILED，计算公式如下：
3. FB端：
输出过压保护电压（VOVP）反馈端，为使芯片正常工作在恒流工作模式，设置的输出过压保护值（VOVP）应大于LED 灯负载上的压降 通过反馈电阻（RFB1、RFB2）设置VOVP值如下：
典型驱动情况推荐如下设置：
4. EN 端：芯片使能开关控制端，大于0.49V工作，低于0.14V关断
5. VSS 端：芯片地，单点接地
6. EXT 端：芯片输出开关控制信号，外接功率管栅极
三、布板注意事项
1. PCB布板，外接的电容器、电感器等请尽量安装在IC附近，并进行单点接地，NMOS功率管要注意大面积敷铜，减小热阻，增大散
热。
2. 电容CIN要尽量靠近芯片的VDD脚，有可能的情况下在VDD脚旁边放置一个0.1uF 的陶瓷电容。
3. FB端反馈电阻尽量在IC附近。
4. 芯片VDD 和EN 脚要连接在输入端。
四、外围元器件选择
ME2169输入电感推荐位2.2uH 线径0.9毫米的工型电感，电感L对输出电流（ILED）和效率（η）产生很大的影响。在选用电感器时，请注意电感器的容许电流。超过此容许值的电流流入电感器会引起电感器处于磁气饱和状态，明显地降低工作效率，或因大电流而引发IC遭受破坏。因此，请选用IPK不超过容许电流的电感器。
请使用满足 正向电压低（肖特基势垒二极管等）、切换速度快、反向耐压在输出过压保护电压（VOVP）以上、额定电流在电感器峰值电流（IPK）以上等电条件的外接二极管。
ME2169推荐输入电容 CIN使用的电容值为10μF~20μF。输出电容器（CO）使用20μF~47μF的电容器，在VOUT较高或负载电流较大的情况下，则推荐使用输出容量值更大的电容器。另外，CIN、CO 均可以使用陶瓷电容器。
4. 增强型N沟道功率MOSFET：
ME2169推荐功率MOSFET开关管使用MEM2310，为了获得良好的效率，请选用低导通电阻（RON），较小输入电容量（CISS）的功率MOSFET，请选用的功率MOSFET的阀值大大低于UVLO检测电压值的产品。
5. 电流检测电阻 RSENSE、过压保护反馈电阻（RFB1、RFB2）：
ME2169可通过VSENSE端连接RSENSE电阻，将ILED设定为任意值，请在VSENSE端与VSS端之间连接电流检测电阻RSENSE。ME2169可通过FB端连接反馈电阻设定输出过压保护的VOVP值，请在FB端与VSS端之间连接RFB2，FB端与输出LED灯正向端及整流二极管的负向端连接RFB1，为使过压保护不影响正常工作，设置过压保护电压VOVP值一定要高于负载LED灯到地之间的压降。推荐 选择如下表所示：
其他任意电流值可根据输出电流ILED公式设置。
五、关键电器参数：
负载三颗灯 输出效率与驱动电流：
负载三颗灯 输出电流与输入电压：
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